ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة بمقحل واحد
ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة بمقحل واحد (بالإنجليزية: 1T-SRAM) وهي ذاكرة شبيه بالساكن تم تصميمها من قبل شركة موسيس (MoSys)، وهي أكثر كثافة من ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة.[1] فهي تستخدم مقحلا واحد لتخزين كل بت مثل ذاكرة الوصول العشوائي الدينمكية لكنها تحيط هذا المقحل بدائرة تحكم لتعمل مثل ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة.
مراجع
- ^ "معلومات عن ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة بمقحل واحد على موقع academic.microsoft.com". academic.microsoft.com. مؤرشف من الأصل في 2020-11-03.
 | هذه بذرة مقالة عن عتاد الحاسوب بحاجة للتوسيع. فضلًا شارك في تحريرها. |