ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة بمقحل واحد

هذه المقالة يتيمة. ساعد بإضافة وصلة إليها في مقالة متعلقة بها
يفتقر محتوى هذه المقالة إلى مصادر موثوقة.
من ويكيبيديا، الموسوعة الحرة
1T-SRAM.JPG

ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة بمقحل واحد (بالإنجليزية: 1T-SRAM)‏ وهي ذاكرة شبيه بالساكن تم تصميمها من قبل شركة موسيس (MoSys)، وهي أكثر كثافة من ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة. فهي تستخدم مقحلا واحد لتخزين كل بت مثل ذاكرة الوصول العشوائي الدينمكية لكنها تحيط هذا المقحل بدائرة تحكم لتعمل مثل ذاكرة الوصول العشوائي الساكنة.

مراجع[عدل]